氣源柜的基本結(jié)構(gòu)：擴(kuò)散爐由控制系統(tǒng)、進(jìn)出舟系統(tǒng)、爐體加熱系統(tǒng)和氣體控制系統(tǒng)等組成。

控制部分包括：溫控器、功率部件、超溫保護(hù)部件、系統(tǒng)控制。

系統(tǒng)控制部分有

四個(gè)獨(dú)立的計(jì)算機(jī)控制單元，分別控制每層爐管的推舟、爐溫及氣路部分，是擴(kuò)散/氧化系統(tǒng)的控制中心。

輔助控制系統(tǒng)，包括推舟控制裝置、保護(hù)電路、電路轉(zhuǎn)接控制、三相電源指示燈、照明、凈化及抽風(fēng)開(kāi)關(guān)等。

較先進(jìn)的擴(kuò)散爐控制系統(tǒng)均已更新或升級(jí)到微機(jī)控制，管機(jī)與主機(jī)間通過(guò)串口RS232或網(wǎng)線(xiàn)進(jìn)行通信?？刂葡到y(tǒng)軟件大多基于Windows系統(tǒng)，實(shí)用性和可操作性大大提高，能夠?qū)崿F(xiàn)日志記錄，曲線(xiàn)記錄，程序編輯，遠(yuǎn)程控制等多種功能。

水平擴(kuò)散爐進(jìn)出舟系統(tǒng)有兩種方式：1）懸臂槳系統(tǒng)；2）軟著陸系統(tǒng)。

懸臂槳系統(tǒng)結(jié)構(gòu)比較簡(jiǎn)單，SiC槳攜帶舟和硅片進(jìn)入石英爐管后，就停留在石英爐管內(nèi)，直到工藝程序結(jié)束，SiC槳就攜帶舟和硅片慢慢回到原位，懸臂槳系統(tǒng)缺點(diǎn)是槳對(duì)爐管溫度的均勻性有一定的影響，另外，工藝氣體也會(huì)對(duì)槳沉積，影響顆粒。

軟著陸系統(tǒng)較懸臂槳系統(tǒng)更加先進(jìn)，SiC槳進(jìn)入石英工藝爐管后，槳自動(dòng)下沉放下石英舟和硅片，然后慢慢運(yùn)行回原點(diǎn)，最后石英爐管的門(mén)自動(dòng)關(guān)閉。軟著陸系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)是沒(méi)有SiC槳對(duì)腔體的影響，使得溫度均勻性更好，減少了工藝氣體在SiC槳上的沉積，從而顆粒更少。

推舟凈化柜的頂部裝有照明燈；正面是水平層流的高效過(guò)濾器及四層推舟的絲杠、導(dǎo)軌副傳動(dòng)系統(tǒng)及SiC懸臂槳座，絲杠的右端安裝有驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)，導(dǎo)軌的兩端是限位開(kāi)關(guān)。柜子的下部裝有控制電路轉(zhuǎn)接板及凈化用風(fēng)機(jī)。

爐體加熱系統(tǒng)

爐體加熱系統(tǒng)共有六層。頂層配置有水冷散熱器及排熱風(fēng)扇，每層加熱爐體間也配置一層水冷系統(tǒng)，隔絕每層爐管的溫度相互影響，廢氣室頂部設(shè)有抽風(fēng)口，與外接負(fù)壓抽風(fēng)管道連接后， 可將工藝過(guò)程殘 余的廢氣帶走,中間部分分四層放置四個(gè)加熱爐體， 每層由四個(gè)坡面支架托起并固定住加熱爐體，其位置在安裝時(shí)已經(jīng)與推拉舟系統(tǒng)——絲杠、導(dǎo)軌副傳動(dòng)系統(tǒng)及SiC懸臂槳系統(tǒng)或軟著落系統(tǒng)等對(duì)準(zhǔn)中心。

氣體控制系統(tǒng)

氣源柜分為五層。頂部設(shè)置有排毒口， 用以排除在換源 過(guò)程中泄漏的有害氣體。 柜頂設(shè)置有三路工藝氣體及一路壓縮空氣的進(jìn)氣接口， 接口以下安裝有減壓閥、截止閥， 用以對(duì)進(jìn)氣壓力進(jìn)行控制及調(diào)節(jié)。對(duì)應(yīng)于氣路，各層分別裝有相應(yīng)的電磁閥、 氣動(dòng)閥、過(guò)濾器、單向閥、質(zhì)量流量控制器、 及DCE源瓶和冷阱等。柜子的底部裝有質(zhì)量流量（MFC）控制器電源、控制開(kāi)關(guān)、保險(xiǎn)等電路轉(zhuǎn)接板以及設(shè)備總電源進(jìn)線(xiàn)轉(zhuǎn)接板。

擴(kuò)散爐用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件和光導(dǎo)纖維等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金及燒結(jié)等工藝。

擴(kuò)散工藝的主要用途是在高溫條件下對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行摻雜，即將元素磷、硼擴(kuò)散入硅片，從而改變和控制半導(dǎo)體內(nèi)雜質(zhì)的類(lèi)型、濃度和分布，以便建立起不同的電特性區(qū)域。

最新的低壓磷擴(kuò)散利用低壓氛圍可以得到更好的方塊電阻均勻性和更大的生產(chǎn)批量，同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響最小。

氧化工藝是使硅片表面在高溫下與氧化劑發(fā)生反應(yīng)，生長(zhǎng)一層二氧化硅膜。

氧化方法有干氧和濕氧，濕氧包括水汽氧化和氫氧合成兩種。

大連八方流體主要生產(chǎn)氣源柜、配氣裝置、供氣系統(tǒng)管路安裝，公司官網(wǎng)：http://7080kk.cn.cn